YP3035W-H射频功率放大器芯片，采用了多项英诺迅科技自主专利技术及先进的InGap/GaAs HBT工艺制程，具有较高的增益和线性度；

芯片内部集成了ESD保护单元，具有较高的可靠性。

采用符合工业标准的QFN封装形式，封装尺寸为4mm×4mm，易于系统集成及小型化。

主要性能指标：

-工作频段：2000~3000MHz

-工作电压：3.3~5.0V

-增益：33dB

-输出功率：36dBm@5.0V

-静态电流：250mA

-输入回波损耗：＞15dB

-内部集成功率检测单元

-内部集成ESD保护单元

-封装形式：QFN-16L 4mm×4mm

-工作温度：-40℃~85℃

应用领域：

-2.4GHz物联网

-IEEE 802.11b/g/n/ac无线局域网

-高端无线网卡、无线AP

-LTE

-Wibro 2.3GHz to 2.4GHz

-WiMAX 2.5GHz to 2.7GHz