YP3035W
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YP3035W

主要性能指标:
频率(MHz): 1800-2800        
P1dB (dBm): 35
EVM(%)@Pout: 3.0@29dBm      
增益(dB): 30
集电极电压(V): 5                
静态集电极电流(mA): 450
封装形式: QFN-4×4-16L

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重量:0.00KG
产品描述

主要性能指标:
频率(MHz): 1800-2800        
P1dB (dBm): 35
EVM(%)@Pout: 3.0@29dBm      
增益(dB): 30
集电极电压(V): 5                
静态集电极电流(mA): 450
封装形式: QFN-4×4-16L


YP3035W Dtasheet下载


产品概述:


该射频功率放大器芯片,采用了多项英诺迅科技自主专利技术及先进的InGap/GaAs HBT工艺制程,具有较高的增益和线性度;芯片内部集成了ESD保护单元,具有较高的可靠性。采用符合工业标准的QFN封装形式,封装尺寸为4mm×4mm,易于系统集成及小型化。


应用领域:


-2.4GHz 物联网

-IEEE 802.11b/g/n/ac无线局域网

-高端无线网卡、无线AP

-LTE

-Wibro 2.3GHz to 2.4GHz

-WiMAX 2.5GHz to 2.7GHz


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