主要性能指标:频率(MHz): 4900~5900 P1dB (dBm): 30 EVM(%)@Pout: 3.0@24dBm 增益(dB): 22集电极电压(V): 5.5 静态集电极电流(mA): 240封装形式: QFN-4×4-16L
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产品概述:
该宽带射频功率放大器芯片,采用了多项英诺迅科技自主专利技术及先进的InGap/GaAs HBT工艺制程,具有较高的输出功率和效率;芯片内部集成了ESD保护单元,具有较高的可靠性。芯片采用QFN封装,尺寸为4mm×4mm,易于系统集成及小型化。
应用领域:
-IEEE 802.11n/ac 无线局域网
-5.8GHz RFID、ETC
-宽带高速数传模块
-5.8GHz点对点、点对多点扩频通信系统
-屏蔽器