主要性能指标:频率(MHz): 4000~6200
工作电压:3.3V~5.5V
输出功率(Psat):30.5dBm @ 5V
EVM性能:3.0% @ Pout=+24dBm (64QAM 54Mbps)
静态电流:240mA
封装:QFN 4mm×4mm-16L
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产品概述:
该宽带射频功率放大器芯片,采用了多项英诺迅科技自主专利技术及先进的InGap/GaAs HBT工艺制程,具有较高的输出功率和效率;芯片内部集成了ESD保护单元,具有较高的可靠性。芯片采用QFN封装,尺寸为4mm×4mm,易于系统集成及小型化。
应用领域:
IEEE 802.11a/n WLAN无线局域网
IEEE 802.16 WiMax宽带无线接入
5.8GHz RFID射频识别
扩频通信