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YP3236W
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YP3236W

主要性能指标：
频率(MHz): 200~1000        
P1dB (dBm): 36
OIP3: 48dBm@915MHz        
增益(dB): 32
集电极电压(V): 5                
静态集电极电流(mA): 250
封装形式: QFN-4×4-16L

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重量：0.00KG
产品描述

主要性能指标：
频率(MHz): 200~1000        
P1dB (dBm): 36
OIP3: 48dBm@915MHz        
增益(dB): 32
集电极电压(V): 5                
静态集电极电流(mA): 250
封装形式: QFN-4×4-16L

YP3236W Dtasheet下载


产品概述：


该宽带射频功率放大器芯片，采用了多项英诺迅科技自主专利技术及先进的InGap/GaAs HBT工艺制程，具有较高的输出功率和效率；芯片内部集成了ESD保护单元，具有较高的可靠性。芯片采用QFN封装，尺寸为4mm×4mm，易于系统集成及小型化。


应用领域：


-ISM

-CDMA

-GSM 

-RFID

-CMMB

-TETRA

-IOT PA

-Signal Shielding Device


产品分类