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YG802020W
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YG802020W

主要性能特点：

电源电压Vcc（V）：5

静态电流（mA）：10~93

工作带宽（MHz）：50~8000

带内增益（dB）：≥18

增益平坦度（dB）：±1.5

P1dB（dBm）：21@3.5GHz

增益（dB）：18.5@3.5GHz

OIP3（dBm）：+35@3.5GHz

             ≥+34.5@3.2~3.8GHz（5G通讯n78频段）

             ≥+34@2.3~2.7GHz（5G通讯n41频段）

封装形式：DFN-2x2-6L


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产品描述

主要性能特点：

电源电压Vcc（V）：5

静态电流（mA）：10~93

工作带宽（MHz）：50~8000

带内增益（dB）：≥18

增益平坦度（dB）：±1.5

P1dB（dBm）：21@3.5GHz

增益（dB）：18.5@3.5GHz

OIP3（dBm）：+35@3.5GHz

             ≥+34.5@3.2~3.8GHz（5G通讯n78频段）

             ≥+34@2.3~2.7GHz（5G通讯n41频段）

封装形式：DFN-2x2-6L


YG802020W Datasheet下载


产品描述：


该宽带射频增益放大器芯片采用了多项英诺迅科技自主专利技术及先进的InGap/GaAs HBT工艺制程，采用级联电路架构，内部集成有源偏置电路，提高电路线性度，实现温度补偿。芯片采用符合工业标准的DFN封装，内部ESD和VSWR保护单元，具有高可靠性。


应用领域：


-5G mobile application/m-MIMO

-WLAN / WiMAX / WiBro

-WCDMA/LTE

-GPS / COMPASS

-TDD/FDD System

-GSM / CDMA /PCS

-CATV

-ISM


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