YP352833
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YP352833

主要性能特点:

频率(MHz):3200~3800

增益(dB): 28

P1dB(dBm): 33

工作电压(V):5

封装形式:QFN-4x4-16L

集成功率检测和ESD保护单元


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重量:0.00KG
产品描述

主要性能特点:

频率(MHz):3200~3800

增益(dB): 28

P1dB(dBm): 33

工作电压(V):5

封装形式:QFN-4x4-16L

集成功率检测和ESD保护单元



YP352833 Dtasheet下载



产品概述:


该射频功率放大器芯片,采用了多项英诺迅科技自主专利技术及先进的InGap/GaAs HBT工艺制程,具有较高的增益和线性度;芯片内部集成了ESD保护单元,具有较高的可靠性。芯片采用QFN封装,尺寸为4mm×4mm,易于系统集成及小型化。


应用领域:


-3.5GHz mMIMO驱动级

-5G小基站末级

-通用驱动级

-屏蔽器末级


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