主要性能特点:
频率(MHz):3200~3800
增益(dB): 28
P1dB(dBm): 33
工作电压(V):5
封装形式:QFN-4x4-16L
集成功率检测和ESD保护单元
YP352833 Dtasheet下载
产品概述:
该射频功率放大器芯片,采用了多项英诺迅科技自主专利技术及先进的InGap/GaAs HBT工艺制程,具有较高的增益和线性度;芯片内部集成了ESD保护单元,具有较高的可靠性。芯片采用QFN封装,尺寸为4mm×4mm,易于系统集成及小型化。
应用领域:
-3.5GHz mMIMO驱动级
-5G小基站末级
-通用驱动级
-屏蔽器末级