日前，继2瓦5G通讯射频功率放大器芯片YP352833之后，苏州英诺迅科技股份有限公司再次推出宽带专用于5G通讯的1瓦射频功率放大器YP352830。该芯片基于InGaP/GaAs HBT工艺制程，采用三级电路级联架构，内部集成有源偏置、输出功率检测单元和ESD保护单元；芯片工作频段1.8~3.8GHz，覆盖5G移动通讯的n7、n25、n34、n38、n40、n41、n78等频段，具有动态范围大、工作带宽宽等特点；芯片采用符合工业标准的QFN封装，具有高可靠性。

主要性能特点：

电源电压Vcc（V）：5

静态电流（mA）：120

工作带宽（MHz）：1800~3800

带内增益（dB）：29@3.5GHz

P1dB（dBm）：30@3.5GHz

封装形式：QFN-4x4-16L

测试曲线：

图1小信号S参数测试曲线（ICCQ=120mA，VCC=5V）

图3  3.4GHz、3.5GHz和3.6GHz频点下功率增益 vs. 输入功率测试结果