YPA895TS 内置两个独立的高频 GaAs HBT NPN双极性晶体管。两个晶体管之间内置隔离单元进行电气隔离，减少相互之间的串扰，相互之间具有较高的隔离度。 YPA895TS的每个晶体管均具有低噪声、低电流和低电压特性，使该器件适用于低电流放大器，DC-20GHz振荡器，缓冲放大器或其他应用。YPA895TS 采用DFN 2mm×2mm×0.75mm封装，它是所有便携式无线应用的理想选择。

■ 直流增益hFE: 55(典型值)@V_CE = 2.2V, I_C = 5mA

■ 特征频率f_T: 30GHz@V_CE = 3V, I_C = 10mA

■ 插入功率增益|S_21e|²: 16.5dB@V_CE = 3.3V, I_C=12.5mA, f = 4GHz

■ 插入功率增益|S_21e|²: 14.6dB@V_CE = 5.0V, I_C=12.5mA, f = 5.8GHz

■ 噪声系数NF: 1.2dB@V_CE = 2.2V, I_C = 5mA, f = 2GHz

■ 封装形式： DFN 2x2x0.75-6L